Информационно-правовая система нормативных правовых актов Республики Казахстан. Приказом Председателя Комитета автомобильных дорог Министерства по инвестициям и развитию Республики Казахстан от 30 Настоящие рекомендации не могут быть полностью или частично воспроизведены, тиражированы и распространены без разрешения Комитета автомобильных дорог Министерства по инвестициям и развитию Республики Казахстан. Приложение А обязательное Каталог наиболее применяемых конструкций деформационных швов с рекомендуемыми материалами.
Щебень и битум — вместе мы сила!
Инструкция предназначена для руководства при проектировании и строительстве дорожных покрытий и оснований из каменных материалов, обработанных органическими вяжущими по способам пропитки, смешения на дороге и из черного щебня, а также слоев износа по способу поверхностной обработки. В Инструкции изложены требования к материалам, применяемым при строительстве таких покрытий, оснований и слоев износа, а также правила производства работ. Инструкция не содержит требований к материалам и правила производства работ с применением эмульсий. Эти требования и правила приведены во вновь изданных «Технических указаниях по приготовлению и применению дорожных эмульсий» ВСН
Устройство покрытий и оснований по способу пропитки состоит в последовательной россыпи и уплотнении щебня различных фракций с последующей их поливкой органическими вяжущими материалами. Прочность подобного конструктива обеспечивается за счет заклинки и сцепления минерального материала вяжущим. Чаще всего используется для покрытия на дорогах третьей и четвертой категорий, в качестве основания — на дорогах первой и второй категории.
Это поле тормозит электроны, вылетающие из участков катода с меньшей, чем у соседних, работой выхода. Внешнее электрическое поле складывается с полем пятен и, возрастая, устраняет тормозящее действие последнего. Вследствие этого эмиссионный ток из неоднородного эмиттера растет при увеличении E быстрее, чем в случае однородного эмиттера аномальный Ш. Влияние электрического поля на эмиссию электронов из полупроводников белее сложно.